Оперативная память 4Gb DDR4 2666MHz Samsung 4 Гб, DDR-4, 21300 Мб/с, CL19, 1.2 В

  • Оперативная память 4Gb DDR4 2666MHz Samsung 4 Гб, DDR-4, 21300 Мб/с, CL19, 1.2 В
  • Производитель: Samsung
  • Код товара: 100715
  • Доступность: На складе
  • 1 721 р.

Оперативная память 4Gb DDR4 2666MHz Samsung, соответствующая типу DDR-4, является оптимальной для решения повседневных задач и для работы при высоких нагрузках. 
Обладающая высоким уровнем тактовой частоты, достигающим 2666 МГц, и пропускной способностью 21300 МБ/сек, планка гарантирует компьютеру быстродействие и эффективность. Питание модуля 4Gb DDR4 2666MHz Samsung осуществляется при напряжении 1.2 В.
Приобретая оперативную память 4Gb DDR4 2666MHz Samsung или другие товары в интернет-каталоге «Инжтехнолоджи», вы получаете не только качественные комплектующие по доступной цене, но и их быструю доставку по Москве и области.

Дополнительно
Гарантия 60 мес.
Напряжение питания 1.2 В
Сайт производителя www.samsung.com
Система охлаждения нет
Основные
Количество модулей в комплекте 1
Линейка стандартная
Объем одного модуля 4096 Мб
Объём памяти 4096 Мб
Производитель Samsung
Пропускная способность 21300 Мб/с
Тактовая частота 2666 МГц
Тип памяти DDR-4
Форм-фактор DIMM
Тайминги
CAS Latency (CL) 19
RAS to CAS Delay (tRCD) 19
Row Precharge Delay (tRP) 19

Написать отзыв

Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст!
  Хорошо     Плохо