Оперативная память 4Gb DDR4 2666MHz Samsung, соответствующая типу DDR-4, является оптимальной для решения повседневных задач и для работы при высоких нагрузках.
Обладающая высоким уровнем тактовой частоты, достигающим 2666 МГц, и пропускной способностью 21300 МБ/сек, планка гарантирует компьютеру быстродействие и эффективность. Питание модуля 4Gb DDR4 2666MHz Samsung осуществляется при напряжении 1.2 В.
Приобретая оперативную память 4Gb DDR4 2666MHz Samsung или другие товары в интернет-каталоге «Инжтехнолоджи», вы получаете не только качественные комплектующие по доступной цене, но и их быструю доставку по Москве и области.
| Дополнительно | |
| Гарантия | 60 мес. |
| Напряжение питания | 1.2 В |
| Сайт производителя | www.samsung.com |
| Система охлаждения | нет |
| Основные | |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Линейка | стандартная |
| Объем одного модуля | 4096 Мб |
| Объём памяти | 4096 Мб |
| Производитель | Samsung |
| Пропускная способность | 21300 Мб/с |
| Тактовая частота | 2666 МГц |
| Тип памяти | DDR-4 |
| Форм-фактор | DIMM |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 19 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 19 |